ESM2030

ESM2030, ESM2030DV

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрESM2030DV
Корпус мікросхеми
Корпус
ISOTOP
Виробник
Виробник
STMicroelectronics
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
На шасі/провід
Постійний струм колектора транзистора
IC
<67 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<300 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<150 Вт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>300Ic, Vce = 56A, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<1.25 ВIb, Ic = 400mA, 40A
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN Darlington