DRDN010

DRDN010, DRDN010W-7

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрDRDN010W-7
Корпус мікросхеми
Корпус
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Виробник
Виробник
Diodes Inc
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<1 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<18 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<200 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>150Ic, Vce = 100mA, 1V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<500 мВIb, Ic = 30mA, 300mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<100 МГц