На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | DPBT8105-7 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 |
Виробник | Виробник | Diodes Inc |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <1 А |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <60 В |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <600 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >100Ic, Vce = 500mA, 5V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 50mA, 500mA |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <150 МГц |
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP |
Струм відсічення колектора | Ifrc | <100 нА |