DMJT9435

DMJT9435, DMJT9435-13

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрDMJT9435-13
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Виробник
Виробник
Diodes Inc
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<3 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<30 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<1.2 Вт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>90Ic, Vce = 3A, 1V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<550 мВIb, Ic = 300mA, 3A
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<160 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
PNP