DCX51-13

DCX51, DCX51-13, DCX51-16-13

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрDCX51-13DCX51-16-13
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-89-3, TO-243-3
Виробник
Виробник
Diodes Inc
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<1 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<45 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<1 Вт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>63Ic, Vce = 150mA, 2V>100Ic, Vce = 150mA, 2V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<500 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<200 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
PNP