D45H8G

D45H8, D45H8G

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрD45H8G
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads)
Виробник
Виробник
ON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Постійний струм колектора транзистора
IC
<10 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<60 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<50 Вт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>40Ic, Vce = 4A, 1V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<1 ВIb, Ic = 400mA, 8A
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<40 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
PNP
Струм відсічення колектора
Ifrc
<10 мкА