На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BUT12A | BUT12AI,127 | BUT12ATU | BUT12AX,127 | BUT12TU | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220-3 (Straight Leads) | TO-220AB-3 | TO-220-3 (Straight Leads) | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 (Straight Leads) |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | NXP Semiconductors | Fairchild Semiconductor | NXP Semiconductors | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Поверхневий | Крізь отвір | Поверхневий | Крізь отвір |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <8 А | ||||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <450 В | <450 В | <450 В | <450 В | <400 В |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <100 Вт | <110 Вт | <100 Вт | <23 Вт | <100 Вт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | (не задано) | >10Ic, Vce = 10mA, 5V | (не задано) | >10Ic, Vce = 10mA, 5V | (не задано) |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <1.5 ВIb, Ic = 1.2A, 6A | <1.5 ВIb, Ic = 860mA, 5A | <1.5 ВIb, Ic = 1.2A, 6A | <1.5 ВIb, Ic = 1A, 5A | <1.5 ВIb, Ic = 1.2A, 6A |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN | ||||
Струм відсічення колектора | Ifrc | <1 мА | ||||