BUT11

BUT11, BUT11A, BUT11AFTU, BUT11AI,127, BUT11APX-1200,127, BUT11APX,127, BUT11ATU, BUT11FTU, BUT11TU

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBUT11ABUT11AFTUBUT11AI,127BUT11APX-1200,127BUT11APX,127BUT11ATUBUT11FTUBUT11TU
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), TO-220AB-3TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 Full PackTO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 Full PackTO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)
Виробник
Виробник
Fairchild SemiconductorFairchild SemiconductorNXP SemiconductorsNXP SemiconductorsNXP SemiconductorsFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Постійний струм колектора транзистора
IC
<5 А<5 А<5 А<6 А<5 А<5 А<5 А<5 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<450 В<450 В<450 В<550 В<450 В<450 В<400 В<400 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<100 Вт<40 Вт<100 Вт<32 Вт<32 Вт<100 Вт<40 Вт<100 Вт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
(не задано)(не задано)>10Ic, Vce = 5mA, 5V>13Ic, Vce = 1mA, 5V>10Ic, Vce = 5mA, 5V(не задано)(не задано)(не задано)
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<1.5 ВIb, Ic = 600mA, 3A<1.5 ВIb, Ic = 500mA, 2.5A<1.5 ВIb, Ic = 330mA, 2.5A<1 ВIb, Ic = 400mA, 2A<250 мВIb, Ic = 600mA, 3A<1.5 ВIb, Ic = 600mA, 3A<1.5 ВIb, Ic = 600mA, 3A<1.5 ВIb, Ic = 600mA, 3A
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN
Струм відсічення колектора
Ifrc
<1 мА