BULB39

BULB39, BULB39D-1

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBULB39D-1
Корпус мікросхеми
Корпус
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Виробник
Виробник
STMicroelectronics
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<4 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<450 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<70 Вт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>10Ic, Vce = 10mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<1.1 ВIb, Ic = 500mA, 2.5A
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN
Струм відсічення колектора
Ifrc
<100 мкА