BUJ100,126

BUJ100, BUJ100,126, BUJ100,412

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBUJ100,126BUJ100,412
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Виробник
Виробник
NXP Semiconductors
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Постійний струм колектора транзистора
IC
<1 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<400 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<2 Вт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>9Ic, Vce = 750mA, 5V>11Ic, Vce = 10mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<1 ВIb, Ic = 150mA, 750mA
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN
Струм відсічення колектора
Ifrc
<100 мкА