BUH150G

BUH150, BUH150G

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBUH150G
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads)
Виробник
Виробник
ON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Постійний струм колектора транзистора
IC
<15 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<700 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<150 Вт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>4Ic, Vce = 20A, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<400 мВIb, Ic = 400mA, 2A
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<23 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN
Струм відсічення колектора
Ifrc
<100 мкА