BUB323

BUB323, BUB323Z, BUB323ZG, BUB323ZT4, BUB323ZT4G

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBUB323ZBUB323ZGBUB323ZT4BUB323ZT4G
Корпус мікросхеми
Корпус
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Виробник
Виробник
ON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<10 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<350 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<150 Вт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>500Ic, Vce = 5A, 4.6V>500Ic, Vce = 5A, 4.6V>500Ic, Vce = 5A, 4.6V>150Ic, Vce = 6.5A, 1.5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<1.6 ВIb, Ic = 70mA, 7A<1.6 ВIb, Ic = 70mA, 7A<1.6 ВIb, Ic = 70mA, 7A<1.7 ВIb, Ic = 250mA, 10A
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<2 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN Darlington
Струм відсічення колектора
Ifrc
<100 мкА