На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BU808DFI | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | ISOWATT-218-3 |
Виробник | Виробник | STMicroelectronics |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <8 А |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <700 В |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <52 Вт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >60Ic, Vce = 5A, 5V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <1.6 ВIb, Ic = 500mA, 5A |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN Darlington |
Струм відсічення колектора | Ifrc | <400 мкА |