BU508

BU508, BU508A, BU508AF, BU508AFI, BU508AFTBTU, BU508AW

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBU508ABU508AFBU508AFIBU508AFTBTUBU508AW
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-247-3ISOWATT218FXISOWATT-218-3TO-3PF-3TO-247
Виробник
Виробник
STMicroelectronicsSTMicroelectronicsSTMicroelectronicsFairchild SemiconductorSTMicroelectronics
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Постійний струм колектора транзистора
IC
<8 А<15 А<8 А<5 А<8 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<700 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<150 Вт<50 Вт<150 Вт<60 Вт<125 Вт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
(не задано)>10Ic, Vce = 100mA, 5V>10Ic, Vce = 100mA, 5V>2.25Ic, Vce = 4.5A, 5V>10Ic, Vce = 100mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<1 ВIb, Ic = 2A, 4.5A<1 ВIb, Ic = 1.6A, 4.5A<1 ВIb, Ic = 2A, 4.5A<1 ВIb, Ic = 2A, 4.5A<1 ВIb, Ic = 1.6A, 4.5A
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<7 МГц(не задано)<7 МГц(не задано)(не задано)
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN
Струм відсічення колектора
Ifrc
<1 мА<200 мкА<1 мА<1 мА<200 мкА