BSV52

BSV52, BSV52,215, BSV52_D87Z, BSV52LT1, BSV52LT1G

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBSV52,215BSV52_D87ZBSV52LT1BSV52LT1G
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Виробник
Виробник
NXP SemiconductorsFairchild SemiconductorON SemiconductorON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<100 мА<200 мА<100 мА<100 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<12 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<250 мВт<225 мВт<300 мВт<300 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>25Ic, Vce = 1mA, 1V>40Ic, Vce = 10mA, 1V>40Ic, Vce = 10mA, 1V>25Ic, Vce = 1mA, 1V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<250 мВIb, Ic = 10mA, 1mA<400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA<300 мВIb, Ic = 300µA, 10mA<400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<500 МГц<400 МГц<400 МГц<400 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN