На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BSS64,215 | BSS64LT1 | BSS64LT1G | BSS64TA | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | |||
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Diodes/Zetex |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <100 мА | |||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <80 В | |||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <250 мВт | <225 мВт | <300 мВт | <330 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >20Ic, Vce = 10mA, 1V | |||
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <150 мВIb, Ic = 400µA, 4mA | <150 мВIb, Ic = 400µA, 4mA | <150 мВIb, Ic = 400µA, 4mA | <200 мВIb, Ic = 15mA, 50mA |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <100 МГц | <60 МГц | <60 МГц | <100 МГц |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN | |||