BSR30

BSR30, BSR30,115

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBSR30,115
Корпус мікросхеми
Корпус
SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)
Виробник
Виробник
NXP Semiconductors
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<1 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<60 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<1.35 Вт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>40Ic, Vce = 100mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<250 мВIb, Ic = 15mA, 150mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<100 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
PNP