На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BSP60,115 | BSP60E6327 | BSP60E6433 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | ||
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <1 А | ||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <45 В | ||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <1.25 Вт | <1.5 Вт | <1.5 Вт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >1000Ic, Vce = 150mA, 10V | ||
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <1.3 ВIb, Ic = 500µA, 500mA | <1.3 ВIb, Ic = 550µA, 500mA | <1.3 ВIb, Ic = 550µA, 500mA |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <200 МГц | ||
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP Darlington | ||
Струм відсічення колектора | Ifrc | (не задано) | <10 мкА | <10 мкА |