На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BSP52,115 | BSP52E6327 | BSP52T1 | BSP52T1G | BSP52T3 | BSP52T3G | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | |||||
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | Infineon Technologies | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <1 А | |||||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <80 В | |||||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <1.25 Вт | <1.5 Вт | <800 мВт | <800 мВт | <800 мВт | <800 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >1000Ic, Vce = 150mA, 10V | |||||
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <1.3 ВIb, Ic = 500µA, 500mA | |||||
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <200 МГц | <200 МГц | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN Darlington | |||||
Струм відсічення колектора | Ifrc | <50 нА | <10 мкА | <10 мкА | <10 мкА | <10 мкА | <10 мкА |