BF722

BF722, BF722,115

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBF722,115
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Виробник
Виробник
NXP Semiconductors
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<100 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<250 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<1.2 Вт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>50Ic, Vce = 25mA, 20V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<600 мВIb, Ic = 5mA, 30mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<60 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN