На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BF517E6327 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23 |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <25 мА |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <15 В |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <280 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >40Ic, Vce = 2mA, 1V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <400 мВIb, Ic = 1mA, 10mA |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <1.4 ГГц |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN |