На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BF423,112 | BF423,116 | BF423G | BF423ZL1 | BF423ZL1G | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | ||||
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <50 мА | ||||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <250 В | ||||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <830 мВт | ||||
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >50Ic, Vce = 25mA, 20V | ||||
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <600 мВIb, Ic = 5mA, 30mA | <600 мВIb, Ic = 5mA, 30mA | <500 мВIb, Ic = 2mA, 20mA | <500 мВIb, Ic = 2mA, 20mA | <500 мВIb, Ic = 2mA, 20mA |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <60 МГц | ||||
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP | ||||