На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BDX34A | BDX34B | BDX34BG | BDX34BTSTU | BDX34BTU | BDX34C | BDX34CG | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220-3 (Straight Leads) | ||||||
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | ON Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||||||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <10 А | ||||||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <60 В | <80 В | <80 В | <80 В | <80 В | <100 В | <100 В |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <70 Вт | ||||||
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >750Ic, Vce = 4A, 3V | >750Ic, Vce = 3A, 3V | >750Ic, Vce = 3A, 3V | >750Ic, Vce = 3A, 3V | >750Ic, Vce = 3A, 3V | >750Ic, Vce = 3A, 3V | >750Ic, Vce = 3A, 3V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <2.5 ВIb, Ic = 8mA, 4A | <2.5 ВIb, Ic = 6mA, 3A | <2.5 ВIb, Ic = 6mA, 3A | <2.5 ВIb, Ic = 6mA, 3A | <2.5 ВIb, Ic = 6mA, 3A | <2.5 ВIb, Ic = 6mA, 3A | <2.5 ВIb, Ic = 6mA, 3A |
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP | PNP Darlington | PNP Darlington | PNP | PNP | PNP | PNP Darlington |
Струм відсічення колектора | Ifrc | <500 мкА | ||||||