На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BD682G | BD682S | BD682STU | BD682T | BD682TG | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-32-3, TO-126-3, TO-225-3 | SOT-32-3, TO-126-3, TO-126-3 (Straight Leads) | SOT-32-3, TO-126-3, TO-126-3 (Straight Leads) | SOT-32-3, TO-126-3, TO-225-3 | SOT-32-3, TO-126-3, TO-225-3 |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <4 А | ||||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <100 В | ||||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <40 Вт | <14 Вт | <14 Вт | <40 Вт | <40 Вт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >750Ic, Vce = 1.5A, 3V | ||||
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <2.5 ВIb, Ic = 1.5A, 30mA | <2.5 ВIb, Ic = 30mA, 1.5A | <2.5 ВIb, Ic = 30mA, 1.5A | <2.5 ВIb, Ic = 1.5A, 30mA | <2.5 ВIb, Ic = 1.5A, 30mA |
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP Darlington | ||||
Струм відсічення колектора | Ifrc | <500 мкА | ||||