BD678

BD678, BD678A, BD678AG, BD678AS, BD678G

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBD678ABD678AGBD678ASBD678G
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-225-3, SOT-32-3, TO-126-3TO-225-3, TO-225-3TO-225-3, TO-126-3 (Straight Leads)TO-225-3, TO-225-3
Виробник
Виробник
STMicroelectronicsON SemiconductorFairchild SemiconductorON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Постійний струм колектора транзистора
IC
<4 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<60 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<40 Вт<40 Вт<14 Вт<40 Вт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>750Ic, Vce = 2A, 3V>750Ic, Vce = 2A, 3V>750Ic, Vce = 2A, 3V>750Ic, Vce = 1.5A, 3V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<2.8 ВIb, Ic = 40mA, 2A<2.8 ВIb, Ic = 40mA, 2A<2.8 ВIb, Ic = 40mA, 2A<2.5 ВIb, Ic = 30mA, 1.5A
Структура біполярного транзистора
Структура
PNP Darlington
Струм відсічення колектора
Ifrc
<500 мкА