BCX71GE6327

BCX71, BCX71G, BCX71GE6327, BCX71H,215, BCX71H,235, BCX71HE6327, BCX71J, BCX71J,215, BCX71J,235, BCX71J_D87Z, BCX71JE6327, BCX71JE6433, BCX71JLT1, BCX71JLT1G, BCX71JT116, BCX71K, BCX71K,215, BCX71K,235, BCX71K_D87Z, BCX71KE6327, BCX71KTA

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBCX71GBCX71GE6327BCX71H,215BCX71H,235BCX71HE6327BCX71JBCX71J,215BCX71J,235BCX71J_D87ZBCX71JE6327BCX71JE6433BCX71JLT1BCX71JLT1GBCX71JT116BCX71KBCX71K,215BCX71K,235BCX71K_D87ZBCX71KE6327BCX71KTA
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23SOT-23SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Виробник
Виробник
Fairchild SemiconductorInfineon TechnologiesNXP SemiconductorsNXP SemiconductorsInfineon TechnologiesFairchild SemiconductorNXP SemiconductorsNXP SemiconductorsFairchild SemiconductorInfineon TechnologiesInfineon TechnologiesON SemiconductorON SemiconductorRohm SemiconductorFairchild SemiconductorNXP SemiconductorsNXP SemiconductorsFairchild SemiconductorInfineon TechnologiesDiodes/Zetex
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<200 мА<500 мА<100 мА<100 мА<500 мА<100 мА<200 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<45 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<350 мВт<330 мВт<250 мВт<250 мВт<330 мВт<350 мВт<250 мВт<250 мВт<350 мВт<330 мВт<330 мВт<350 мВт<350 мВт(не задано)<350 мВт<250 мВт<250 мВт<350 мВт<330 мВт<330 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>120Ic, Vce = 2mA, 5V>20Ic, Vce = 10µA, 5V>180Ic, Vce = 2mA, 5V>180Ic, Vce = 2mA, 5V>30Ic, Vce = 10µA, 5V>250Ic, Vce = 2mA, 5V>250Ic, Vce = 2mA, 5V>250Ic, Vce = 2mA, 5V>250Ic, Vce = 2mA, 5V>40Ic, Vce = 10µA, 5V>40Ic, Vce = 10µA, 5V>250Ic, Vce = 2mA, 5V>40Ic, Vce = 10µA, 5V>250Ic, Vce = 2mA, 5V>380Ic, Vce = 2mA, 5V>380Ic, Vce = 2mA, 5V>380Ic, Vce = 2mA, 5V>380Ic, Vce = 2mA, 5V>380Ic, Vce = 2mA, 5V>380Ic, Vce = 2mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<550 мВIb, Ic = 1.25mA, 50mA<250 мВIb, Ic = 250µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 250µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 250µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 250µA, 10mA<550 мВIb, Ic = 1.25mA, 50mA<250 мВIb, Ic = 250µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 250µA, 10mA<550 мВIb, Ic = 1.25mA, 50mA<250 мВIb, Ic = 250µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 250µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 250µA, 10mA<550 мВIb, Ic = 1.25mA, 50mA(не задано)<550 мВIb, Ic = 1.25mA, 50mA<250 мВIb, Ic = 250µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 250µA, 10mA<550 мВIb, Ic = 1.25mA, 50mA<250 мВIb, Ic = 250µA, 10mA<550 мВIb, Ic = 1.25mA, 50mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
(не задано)<250 МГц<100 МГц<100 МГц<250 МГц(не задано)<100 МГц<100 МГц(не задано)<250 МГц<250 МГц(не задано)(не задано)<180 МГц(не задано)<100 МГц<100 МГц(не задано)<250 МГц<180 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
PNP
Струм відсічення колектора
Ifrc
<20 нА(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)<20 нА(не задано)(не задано)<20 нА(не задано)(не задано)<20 нА<20 нА(не задано)<20 нА(не задано)(не задано)<20 нА(не задано)<20 нА