BCX70G,215

BCX70, BCX70G, BCX70G,215, BCX70GE6327, BCX70H, BCX70H,215, BCX70H,235, BCX70H_D87Z, BCX70HE6327, BCX70HE6433, BCX70J, BCX70J,215, BCX70J,235, BCX70JE6327, BCX70JE6433, BCX70JT116, BCX70K, BCX70K,215, BCX70K,235, BCX70KE6327, BCX70KTA

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBCX70GBCX70G,215BCX70GE6327BCX70HBCX70H,215BCX70H,235BCX70H_D87ZBCX70HE6327BCX70HE6433BCX70JBCX70J,215BCX70J,235BCX70JE6327BCX70JE6433BCX70JT116BCX70KBCX70K,215BCX70K,235BCX70KE6327BCX70KTA
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23SOT-23SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23SOT-23SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Виробник
Виробник
Fairchild SemiconductorNXP SemiconductorsInfineon TechnologiesFairchild SemiconductorNXP SemiconductorsNXP SemiconductorsFairchild SemiconductorInfineon TechnologiesInfineon TechnologiesFairchild SemiconductorNXP SemiconductorsNXP SemiconductorsInfineon TechnologiesInfineon TechnologiesRohm SemiconductorFairchild SemiconductorNXP SemiconductorsNXP SemiconductorsInfineon TechnologiesDiodes/Zetex
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<200 мА<100 мА<100 мА<200 мА<100 мА<100 мА<200 мА<100 мА<100 мА<200 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<200 мА<200 мА<100 мА<100 мА<100 мА<200 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<45 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<350 мВт<250 мВт<330 мВт<350 мВт<250 мВт<250 мВт<350 мВт<330 мВт<330 мВт<350 мВт<250 мВт<250 мВт<330 мВт<330 мВт<200 мВт<350 мВт<250 мВт<250 мВт<330 мВт<330 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>120Ic, Vce = 2mA, 5V>120Ic, Vce = 2mA, 5V>20Ic, Vce = 10µA, 5V>180Ic, Vce = 2mA, 5V>180Ic, Vce = 2mA, 5V>180Ic, Vce = 2mA, 5V>180Ic, Vce = 2mA, 5V>20Ic, Vce = 10µA, 5V>20Ic, Vce = 10µA, 5V>250Ic, Vce = 2mA, 5V>250Ic, Vce = 2mA, 5V>250Ic, Vce = 2mA, 5V>40Ic, Vce = 10µA, 5V>40Ic, Vce = 10µA, 5V>250Ic, Vce = 2mA, 5V>380Ic, Vce = 2mA, 5V>380Ic, Vce = 2mA, 5V>380Ic, Vce = 2mA, 5V>380Ic, Vce = 2mA, 5V>380Ic, Vce = 2mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<550 мВIb, Ic = 1.25mA, 50mA<350 мВIb, Ic = 250µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 250µA, 10mA<550 мВIb, Ic = 1.25mA, 50mA<350 мВIb, Ic = 250µA, 10mA<350 мВIb, Ic = 250µA, 10mA<550 мВIb, Ic = 1.25mA, 50mA<250 мВIb, Ic = 250µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 250µA, 10mA<550 мВIb, Ic = 1.25mA, 50mA<350 мВIb, Ic = 250µA, 10mA<350 мВIb, Ic = 250µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 250µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 250µA, 10mA<350 мВIb, Ic = 250µA, 10mA<550 мВIb, Ic = 1.25mA, 50mA<350 мВIb, Ic = 250µA, 10mA<350 мВIb, Ic = 250µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 250µA, 10mA<550 мВIb, Ic = 1.25mA, 50mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<125 МГц<250 МГц<250 МГц<125 МГц<250 МГц<250 МГц<125 МГц<250 МГц<250 МГц<125 МГц<250 МГц<250 МГц<250 МГц<250 МГц<125 МГц<125 МГц<250 МГц<250 МГц<250 МГц<250 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN
Струм відсічення колектора
Ifrc
<20 нА(не задано)(не задано)<20 нА(не задано)(не задано)<20 нА(не задано)(не задано)<20 нА(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)<100 нА<20 нА(не задано)(не задано)(не задано)<20 нА