На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BCX52-10,115 | BCX52,115 | BCX52-16,115 | BCX52-16,135 | BCX52-16E6327 | BCX52-16E6433 | BCX52E6327 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) | SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) | SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) | SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) | SOT-89 | SOT-89 | SOT-89 |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <1 А | ||||||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <60 В | ||||||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <650 мВт | <650 мВт | <650 мВт | <1.3 Вт | <1 Вт | <2 Вт | <1 Вт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >63Ic, Vce = 150mA, 2V | >63Ic, Vce = 150mA, 2V | >100Ic, Vce = 150mA, 2V | >100Ic, Vce = 150mA, 2V | >100Ic, Vce = 150mA, 2V | >100Ic, Vce = 150mA, 2V | >40Ic, Vce = 150mA, 2V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <500 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | ||||||
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <145 МГц | <145 МГц | <145 МГц | <145 МГц | <125 МГц | <125 МГц | <125 МГц |
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP | ||||||