BCX51-16,115

BCX51, BCX51-10,115, BCX51,115, BCX51-16,115, BCX51-16,135, BCX51-16E6327, BCX51E6327

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBCX51-10,115BCX51,115BCX51-16,115BCX51-16,135BCX51-16E6327BCX51E6327
Корпус мікросхеми
Корпус
SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)SOT-89SOT-89
Виробник
Виробник
NXP SemiconductorsNXP SemiconductorsNXP SemiconductorsNXP SemiconductorsInfineon TechnologiesInfineon Technologies
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<1 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<45 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<650 мВт<650 мВт<650 мВт<650 мВт<1 Вт<1 Вт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>63Ic, Vce = 150mA, 2V>63Ic, Vce = 150mA, 2V>100Ic, Vce = 150mA, 2V>100Ic, Vce = 150mA, 2V>100Ic, Vce = 150mA, 2V>40Ic, Vce = 150mA, 2V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<500 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<145 МГц<145 МГц<145 МГц<145 МГц<125 МГц<125 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
PNP