BCW68FE6327

BCW68, BCW68FE6327, BCW68G, BCW68GE6327, BCW68GLT1G, BCW68GLT3G, BCW68HE6327, BCW68HTA, BCW68HTC

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBCW68FE6327BCW68GBCW68GE6327BCW68GLT1GBCW68GLT3GBCW68HE6327BCW68HTABCW68HTC
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-23SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Виробник
Виробник
Infineon TechnologiesFairchild SemiconductorInfineon TechnologiesON SemiconductorON SemiconductorInfineon TechnologiesDiodes/ZetexDiodes/Zetex
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<800 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<45 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<330 мВт<350 мВт<330 мВт<225 мВт<225 мВт<330 мВт<330 мВт<330 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>100Ic, Vce = 100mA, 1V>160Ic, Vce = 100mA, 1V>160Ic, Vce = 100mA, 1V>120Ic, Vce = 10mA, 1V>120Ic, Vce = 10mA, 1V>250Ic, Vce = 100mA, 1V>250Ic, Vce = 100mA, 1V>250Ic, Vce = 100mA, 1V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<300 мВIb, Ic = 10mA, 100mA<1.5 ВIb, Ic = 30mA, 300mA<300 мВIb, Ic = 10mA, 100mA<1.5 ВIb, Ic = 30mA, 300mA<1.5 ВIb, Ic = 30mA, 300mA<300 мВIb, Ic = 10mA, 100mA<300 мВIb, Ic = 10mA, 100mA<300 мВIb, Ic = 10mA, 100mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<200 МГц<100 МГц<200 МГц<100 МГц<100 МГц<200 МГц<100 МГц<100 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
PNP
Струм відсічення колектора
Ifrc
(не задано)<20 нА(не задано)<20 нА<20 нА(не задано)<20 нА<20 нА