BCW66G

BCW66, BCW66FE6327, BCW66G, BCW66G_D87Z, BCW66GE6327, BCW66GLT1, BCW66GLT1G, BCW66GLT3G, BCW66HB6327, BCW66HE6327, BCW66HTA, BCW66HTC, BCW66KFE6327, BCW66KGE6327, BCW66KGE6433, BCW66KHB6327, BCW66KHE6327

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр		BCW66FE6327	BCW66G	BCW66G_D87Z	BCW66GE6327	BCW66GLT1	BCW66GLT1G	BCW66GLT3G	BCW66HB6327	BCW66HE6327	BCW66HTA	BCW66HTC	BCW66KFE6327	BCW66KGE6327	BCW66KGE6433	BCW66KHB6327	BCW66KHE6327
Корпус мікросхеми	Корпус	SOT-23	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23	SOT-23	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23	SOT-23	SOT-23	SOT-23	SOT-23
Виробник	Виробник	Infineon Technologies	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Infineon Technologies	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Diodes/Zetex	Diodes/Zetex	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора	I_C	<800 мА	<1 А	<1 А	<800 мА	<800 мА	<800 мА	<800 мА	<800 мА	<800 мА	<800 мА	<800 мА	<800 мА	<800 мА	<800 мА	<800 мА	<800 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера	U_CEO	<45 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора	P_C	<330 мВт	<350 мВт	<350 мВт	<330 мВт	<225 мВт	<225 мВт	<225 мВт	<330 мВт	<330 мВт	<330 мВт	<330 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора	hFE	>100Ic, Vce = 100mA, 1V	>160Ic, Vce = 100mA, 1V	>160Ic, Vce = 100mA, 1V	>160Ic, Vce = 100mA, 1V	>160Ic, Vce = 100mA, 1V	>160Ic, Vce = 100mA, 1V	>160Ic, Vce = 100mA, 1V	>250Ic, Vce = 100mA, 1V	>250Ic, Vce = 100mA, 1V	>250Ic, Vce = 100mA, 1V	>250Ic, Vce = 100mA, 1V	>100Ic, Vce = 100mA, 1V	>160Ic, Vce = 100mA, 1V	>160Ic, Vce = 100mA, 1V	>250Ic, Vce = 100mA, 1V	>250Ic, Vce = 100mA, 1V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора	U_CE-sat	<300 мВIb, Ic = 10mA, 100mA	<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<300 мВIb, Ic = 10mA, 100mA	<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<300 мВIb, Ic = 10mA, 100mA	<300 мВIb, Ic = 10mA, 100mA	<300 мВIb, Ic = 10mA, 100mA	<300 мВIb, Ic = 10mA, 100mA	<300 мВIb, Ic = 10mA, 100mA	<300 мВIb, Ic = 10mA, 100mA	<300 мВIb, Ic = 10mA, 100mA	<300 мВIb, Ic = 10mA, 100mA	<300 мВIb, Ic = 10mA, 100mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора	f_h21	<170 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<170 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<170 МГц	<170 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<170 МГц	<170 МГц	<170 МГц	<170 МГц	<170 МГц
Структура біполярного транзистора	Структура	NPN
Струм відсічення колектора	I_frc	(не задано)	<20 нА	<20 нА	(не задано)	<20 нА	<20 нА	<20 нА	(не задано)	(не задано)	<20 нА	<20 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)