На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BCW65ALT1 | BCW65ALT1G | BCW65CLT1 | BCW65CLT1G | BCW65CTA | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | ||||
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Diodes/Zetex |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <800 мА | ||||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <32 В | ||||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <225 мВт | <300 мВт | <225 мВт | <300 мВт | <330 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >100Ic, Vce = 100mA, 1V | >35Ic, Vce = 100µA, 10V | >250Ic, Vce = 100mA, 1V | >80Ic, Vce = 100µA, 10V | >250Ic, Vce = 100mA, 1V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <300 мВIb, Ic = 10mA, 100mA |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <100 МГц | ||||
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN | ||||
Струм відсічення колектора | Ifrc | <20 нА | ||||