На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BCW61AE6327 | BCW61AMTF | BCW61B,215 | BCW61BE6327 | BCW61BMTF | BCW61C,215 | BCW61C,235 | BCW61CE6327 | BCW61CMTF | BCW61CT116 | BCW61D,215 | BCW61DE6327 | BCW61DMTF | BCW61DTA | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | Fairchild Semiconductor | NXP Semiconductors | Infineon Technologies | Fairchild Semiconductor | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Infineon Technologies | Fairchild Semiconductor | Rohm Semiconductor | NXP Semiconductors | Infineon Technologies | Fairchild Semiconductor | Diodes/Zetex |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||||||||||||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <100 мА | <100 мА | <100 мА | <100 мА | <100 мА | <100 мА | <100 мА | <100 мА | <100 мА | <200 мА | <100 мА | <100 мА | <100 мА | <200 мА |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <32 В | |||||||||||||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <330 мВт | <350 мВт | <250 мВт | <330 мВт | <350 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <330 мВт | <350 мВт | (не задано) | <250 мВт | <330 мВт | <350 мВт | <330 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >20Ic, Vce = 10µA, 5V | >120Ic, Vce = 2mA, 5V | >30Ic, Vce = 10µA, 5V | >30Ic, Vce = 10µA, 5V | >140Ic, Vce = 2mA, 5V | >40Ic, Vce = 10µA, 5V | >40Ic, Vce = 10µA, 5V | >40Ic, Vce = 10µA, 5V | >250Ic, Vce = 2mA, 5V | >250Ic, Vce = 2mA, 5V | >100Ic, Vce = 10µA, 5V | >100Ic, Vce = 10µA, 5V | >380Ic, Vce = 2mA, 5V | >380Ic, Vce = 2mA, 5V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <250 мВIb, Ic = 250µA, 10mA | <550 мВIb, Ic = 1.25mA, 50mA | <250 мВIb, Ic = 250µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 250µA, 10mA | <550 мВIb, Ic = 1.25mA, 50mA | <250 мВIb, Ic = 250µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 250µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 250µA, 10mA | <550 мВIb, Ic = 1.25mA, 50mA | (не задано) | <250 мВIb, Ic = 250µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 250µA, 10mA | <550 мВIb, Ic = 1.25mA, 50mA | <550 мВIb, Ic = 1.25mA, 50mA |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <250 МГц | (не задано) | <100 МГц | <250 МГц | (не задано) | <100 МГц | <100 МГц | <250 МГц | (не задано) | <180 МГц | <100 МГц | <250 МГц | (не задано) | <180 МГц |
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP | |||||||||||||
Струм відсічення колектора | Ifrc | (не задано) | <20 нА | (не задано) | (не задано) | <20 нА | (не задано) | (не задано) | (не задано) | <20 нА | (не задано) | (не задано) | (не задано) | <20 нА | <20 нА |