BCW60

BCW60, BCW60A, BCW60A_D87Z, BCW60B, BCW60B,215, BCW60B,235, BCW60BE6327, BCW60C, BCW60C,215, BCW60C,235, BCW60CE6327, BCW60CT116, BCW60D, BCW60D,215, BCW60D,235, BCW60DE6327, BCW60DT116, BCW60DTA, BCW60FFE6327

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBCW60ABCW60A_D87ZBCW60BBCW60B,215BCW60B,235BCW60BE6327BCW60CBCW60C,215BCW60C,235BCW60CE6327BCW60CT116BCW60DBCW60D,215BCW60D,235BCW60DE6327BCW60DT116BCW60DTABCW60FFE6327
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23
Виробник
Виробник
Fairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorNXP SemiconductorsNXP SemiconductorsInfineon TechnologiesFairchild SemiconductorNXP SemiconductorsNXP SemiconductorsInfineon TechnologiesRohm SemiconductorFairchild SemiconductorNXP SemiconductorsNXP SemiconductorsInfineon TechnologiesRohm SemiconductorDiodes/ZetexInfineon Technologies
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<200 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<200 мА<200 мА<100 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<32 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<350 мВт<350 мВт<350 мВт<250 мВт<250 мВт<330 мВт<350 мВт<250 мВт<250 мВт<330 мВт(не задано)<350 мВт<250 мВт<250 мВт<330 мВт(не задано)<330 мВт<330 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>120Ic, Vce = 2mA, 5V>120Ic, Vce = 2mA, 5V>180Ic, Vce = 2mA, 5V>20Ic, Vce = 10µA, 5V>20Ic, Vce = 10µA, 5V>20Ic, Vce = 10µA, 5V>250Ic, Vce = 2mA, 5V>40Ic, Vce = 10µA, 5V>40Ic, Vce = 10µA, 5V>40Ic, Vce = 10µA, 5V>260Ic, Vce = 2mA, 5V>380Ic, Vce = 2mA, 5V>100Ic, Vce = 10µA, 5V>100Ic, Vce = 10µA, 5V>100Ic, Vce = 10µA, 5V>380Ic, Vce = 2mA, 5V>380Ic, Vce = 2mA, 5V>40Ic, Vce = 10µA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<550 мВIb, Ic = 1.25mA, 50mA<550 мВIb, Ic = 1.25mA, 50mA<550 мВIb, Ic = 1.25mA, 50mA<350 мВIb, Ic = 250µA, 10mA<350 мВIb, Ic = 250µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 250µA, 10mA<550 мВIb, Ic = 1.25mA, 50mA<350 мВIb, Ic = 250µA, 10mA<350 мВIb, Ic = 250µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 250µA, 10mA(не задано)<550 мВIb, Ic = 1.25mA, 50mA<350 мВIb, Ic = 250µA, 10mA<350 мВIb, Ic = 250µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 250µA, 10mA(не задано)<550 мВIb, Ic = 1.25mA, 50mA<250 мВIb, Ic = 250µA, 10mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<125 МГц<125 МГц<125 МГц<250 МГц<250 МГц<250 МГц<125 МГц<250 МГц<250 МГц<250 МГц<125 МГц<125 МГц<250 МГц<250 МГц<250 МГц<125 МГц<250 МГц<250 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN
Струм відсічення колектора
Ifrc
<20 нА<20 нА<20 нА(не задано)(не задано)(не задано)<20 нА(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)<20 нА(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)<20 нА(не задано)