На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BCW33,215 | BCW33LT1 | BCW33LT1G | BCW33LT3G | BCW33T116 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | ||||
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Rohm Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <100 мА | ||||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <32 В | ||||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <250 мВт | <225 мВт | <225 мВт | <225 мВт | <350 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >600Ic, Vce = 10µA, 5V | >420Ic, Vce = 2mA, 5V | >420Ic, Vce = 2mA, 5V | >420Ic, Vce = 2mA, 5V | >420Ic, Vce = 2mA, 5V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | ||||
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <100 МГц | <200 МГц | <200 МГц | <200 МГц | <200 МГц |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN | ||||