На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BCW32,215 | BCW32,235 | BCW32LT1G | BCW32T116 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | |||
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | ON Semiconductor | Rohm Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <100 мА | |||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <32 В | |||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <250 мВт | <250 мВт | <225 мВт | <350 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >330Ic, Vce = 10µA, 5V | >330Ic, Vce = 10µA, 5V | >200Ic, Vce = 2mA, 5V | >200Ic, Vce = 2mA, 5V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | |||
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <100 МГц | <100 МГц | <200 МГц | <200 МГц |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN | |||