На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BCV49,115 | BCV49,135 | BCV49E6327 | BCV49TA | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) | SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) | SOT-89 | SOT-89-3, TO-243-3 |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Infineon Technologies | Diodes/Zetex |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <500 мА | |||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <60 В | |||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <1.3 Вт | <1.3 Вт | <1 Вт | <1 Вт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >4000Ic, Vce = 1mA, 5V | >4000Ic, Vce = 1mA, 5V | >4000Ic, Vce = 100µA, 1V | >4000Ic, Vce = 10mA, 5V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <1 ВIb, Ic = 100µA, 100mA | |||
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <220 МГц | <220 МГц | <150 МГц | <170 МГц |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN Darlington | |||