BCV27,215

BCV27, BCV27,215, BCV27_D87Z, BCV27E6327, BCV27TA, BCV27TC

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBCV27,215BCV27_D87ZBCV27E6327BCV27TABCV27TC
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Виробник
Виробник
NXP SemiconductorsFairchild SemiconductorInfineon TechnologiesDiodes/ZetexDiodes/Zetex
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<500 мА<1.2 А<500 мА<500 мА<500 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<30 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<250 мВт<350 мВт<360 мВт<330 мВт<330 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>4000Ic, Vce = 1mA, 5V>4000Ic, Vce = 1mA, 5V>4000Ic, Vce = 100µA, 1V>10000Ic, Vce = 10mA, 5V>10000Ic, Vce = 10mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<1 ВIb, Ic = 100µA, 100mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<220 МГц<220 МГц<170 МГц<170 МГц<170 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN Darlington