На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BCV26,215 | BCV26,235 | BCV26E6327 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23 |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Infineon Technologies |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <500 мА | ||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <30 В | ||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <250 мВт | <250 мВт | <360 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >4000Ic, Vce = 1mA, 5V | >4000Ic, Vce = 1mA, 5V | >4000Ic, Vce = 100µA, 1V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <1 ВIb, Ic = 100µA, 100mA | ||
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <220 МГц | <220 МГц | <200 МГц |
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP Darlington | ||