BCP69-16,115

BCP69, BCP69,115, BCP69,135, BCP69-16,115, BCP69-16E6327, BCP69-25,115, BCP69-25,135, BCP69-25E6327, BCP69T1, BCP69T1G, BCP69TA, BCP69USE6327

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBCP69,115BCP69,135BCP69-16,115BCP69-16E6327BCP69-25,115BCP69-25,135BCP69-25E6327BCP69T1BCP69T1GBCP69TABCP69USE6327
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA, SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AASOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA, SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AASOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA, SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AASOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA, SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AASOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA, SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AASOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA, SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AASOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA, SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AASOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA, SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AASOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA, SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AASOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA, SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AASOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA, 6-TSOP
Виробник
Виробник
NXP SemiconductorsNXP SemiconductorsNXP SemiconductorsInfineon TechnologiesNXP SemiconductorsNXP SemiconductorsInfineon TechnologiesON SemiconductorON SemiconductorDiodes/ZetexInfineon Technologies
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<1 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<20 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<625 мВт<625 мВт<625 мВт<1.5 Вт<625 мВт<625 мВт<1.5 Вт<1.5 Вт<1.5 Вт<2 Вт<1 Вт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>85Ic, Vce = 500mA, 1V>85Ic, Vce = 500mA, 1V>100Ic, Vce = 500mA, 1V>100Ic, Vce = 500mA, 1V>160Ic, Vce = 500mA, 1V>160Ic, Vce = 500mA, 1V>160Ic, Vce = 500mA, 1V>85Ic, Vce = 500mA, 1V>85Ic, Vce = 500mA, 1V>63Ic, Vce = 500mA, 1V>85Ic, Vce = 500mA, 1V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<500 мВIb, Ic = 100mA, 1A
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<140 МГц<140 МГц<140 МГц<100 МГц<140 МГц<140 МГц<100 МГц<60 МГц<60 МГц<100 МГц(не задано)
Структура біполярного транзистора
Структура
PNP