На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BCP68,115 | BCP68-25,115 | BCP68-25,135 | BCP68-25E6327 | BCP68T1 | BCP68T1G | BCP68TA | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | ||||||
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Infineon Technologies | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Diodes/Zetex |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <1 А | ||||||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <20 В | ||||||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <625 мВт | <625 мВт | <625 мВт | <1.5 Вт | <1.5 Вт | <1.5 Вт | <2 Вт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >85Ic, Vce = 500mA, 1V | >85Ic, Vce = 500mA, 1V | >85Ic, Vce = 500mA, 1V | >160Ic, Vce = 500mA, 1V | >85Ic, Vce = 500mA, 1V | >85Ic, Vce = 500mA, 1V | >63Ic, Vce = 500mA, 1V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <500 мВIb, Ic = 100mA, 1A | ||||||
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <170 МГц | <170 МГц | <170 МГц | <100 МГц | <60 МГц | <60 МГц | <100 МГц |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN | ||||||