На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BCP56-10,115 | BCP56-10,135 | BCP56-10E6327 | BCP56-10E6433 | BCP56-10T1G | BCP56,115 | BCP56-16 | BCP56-16,115 | BCP56-16,135 | BCP56-16E6327 | BCP56-16T1 | BCP56-16T1G | BCP56-16T3 | BCP56-16T3G | BCP56T1 | BCP56T1G | BCP56T3G | BCP56TA | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | |||||||||||||||||
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Infineon Technologies | Infineon Technologies | ON Semiconductor | NXP Semiconductors | STMicroelectronics | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Infineon Technologies | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Diodes/Zetex |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||||||||||||||||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <1 А | |||||||||||||||||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <80 В | |||||||||||||||||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <640 мВт | <640 мВт | <1.5 Вт | <1.5 Вт | <1.5 Вт | <640 мВт | <1.6 Вт | <640 мВт | <640 мВт | <1.5 Вт | <1.5 Вт | <1.5 Вт | <1.5 Вт | <1.5 Вт | <1.5 Вт | <1.5 Вт | <1.5 Вт | <2 Вт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >63Ic, Vce = 150mA, 2V | >63Ic, Vce = 150mA, 2V | >63Ic, Vce = 150mA, 2V | >63Ic, Vce = 150mA, 2V | >63Ic, Vce = 150mA, 2V | >63Ic, Vce = 150mA, 2V | >100Ic, Vce = 150mA, 2V | >100Ic, Vce = 150mA, 2V | >100Ic, Vce = 150mA, 2V | >100Ic, Vce = 150mA, 2V | >100Ic, Vce = 150mA, 2V | >100Ic, Vce = 150mA, 2V | >100Ic, Vce = 150mA, 2V | >100Ic, Vce = 150mA, 2V | >25Ic, Vce = 150mA, 2V | >25Ic, Vce = 150mA, 2V | >25Ic, Vce = 150mA, 2V | >40Ic, Vce = 150mA, 2V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <500 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | |||||||||||||||||
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <180 МГц | <180 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <130 МГц | <180 МГц | (не задано) | <180 МГц | <180 МГц | <100 МГц | <130 МГц | <130 МГц | <130 МГц | <130 МГц | <130 МГц | <130 МГц | <130 МГц | <125 МГц |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN | |||||||||||||||||