На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BCP55-10,115 | BCP55,115 | BCP55,135 | BCP55-16,115 | BCP55-16E6327 | BCP55E6327 | BCP55TA | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | ||||||
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Diodes/Zetex |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <1 А | ||||||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <60 В | ||||||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <640 мВт | <640 мВт | <640 мВт | <640 мВт | <1.5 Вт | <1.5 Вт | <2 Вт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >63Ic, Vce = 150mA, 2V | >63Ic, Vce = 150mA, 2V | >63Ic, Vce = 150mA, 2V | >100Ic, Vce = 150mA, 2V | >100Ic, Vce = 150mA, 2V | >40Ic, Vce = 150mA, 2V | >40Ic, Vce = 150mA, 2V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <500 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | ||||||
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <180 МГц | <180 МГц | <180 МГц | <180 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN | ||||||