BCP52-10,135

BCP52, BCP52-10,135, BCP52,135, BCP52-16, BCP52-16,115, BCP52-16E6327, BCP52TA

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBCP52-10,135BCP52,135BCP52-16BCP52-16,115BCP52-16E6327BCP52TA
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Виробник
Виробник
NXP SemiconductorsNXP SemiconductorsSTMicroelectronicsNXP SemiconductorsInfineon TechnologiesDiodes/Zetex
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<1 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<60 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<650 мВт<650 мВт<1.4 Вт<650 мВт<1.5 Вт<2 Вт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>63Ic, Vce = 150mA, 2V>63Ic, Vce = 150mA, 2V>100Ic, Vce = 150mA, 2V>100Ic, Vce = 150mA, 2V>100Ic, Vce = 150mA, 2V>40Ic, Vce = 150mA, 2V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<500 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<145 МГц<145 МГц<50 МГц<145 МГц<125 МГц<125 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
PNP