BC879

BC879, BC879,112

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBC879,112
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Виробник
Виробник
NXP Semiconductors
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Постійний струм колектора транзистора
IC
<1 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<80 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<830 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>1000Ic, Vce = 150mA, 10V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<1.3 ВIb, Ic = 500µA, 500mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<200 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN Darlington
Струм відсічення колектора
Ifrc
<50 нА