На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BC869,115 | BC869,135 | BC869-16,115 | BC869-25,115 | BC869TA | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) | SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) | SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) | SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) | SOT-89-3, TO-243-3 |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Diodes/Zetex |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <1 А | ||||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <20 В | ||||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <500 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <1 Вт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >85Ic, Vce = 500mA, 1V | >85Ic, Vce = 500mA, 1V | >100Ic, Vce = 500mA, 1V | >160Ic, Vce = 500mA, 1V | >85Ic, Vce = 500mA, 1V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <500 мВIb, Ic = 100mA, 1A | ||||
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <140 МГц | <140 МГц | <140 МГц | <140 МГц | <60 МГц |
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP | ||||