На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BC860AMTF | BC860B,215 | BC860B,235 | BC860BE6327 | BC860BFE6327 | BC860BMTF | BC860BW,115 | BC860BW,135 | BC860BWE6327 | BC860C,215 | BC860C,235 | BC860CB5003 | BC860CW,115 | BC860CW,135 | BC860CWE6327 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23 | TSFP-3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SC-70-3, SOT-323-3 | SC-70-3, SOT-323-3 | SOT-323 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23 | SC-70-3, SOT-323-3 | SC-70-3, SOT-323-3 | SOT-323 |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Fairchild Semiconductor | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Infineon Technologies | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Infineon Technologies | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Infineon Technologies |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||||||||||||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <100 мА | ||||||||||||||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <45 В | ||||||||||||||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <310 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <330 мВт | <330 мВт | <310 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <330 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <250 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >110Ic, Vce = 2mA, 5V | >220Ic, Vce = 2mA, 5V | >220Ic, Vce = 2mA, 5V | >250Ic, Vce = 10µA, 5V | >250Ic, Vce = 10µA, 5V | >200Ic, Vce = 2mA, 5V | >220Ic, Vce = 2mA, 5V | >220Ic, Vce = 2mA, 5V | >250Ic, Vce = 10µA, 5V | >420Ic, Vce = 2mA, 6V | >420Ic, Vce = 2mA, 5V | >480Ic, Vce = 10µA, 5V | >420Ic, Vce = 2mA, 5V | >420Ic, Vce = 2mA, 5V | >480Ic, Vce = 10µA, 5V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <150 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <150 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <250 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <250 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <250 МГц |
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP | ||||||||||||||