BC858A-7-F

BC858, BC858A-7-F, BC858AE6327, BC858ALT1, BC858ALT1G, BC858AMTF, BC858AW-7-F, BC858AWT1, BC858AWT1G, BC858B,215, BC858B,235, BC858B-7-F, BC858BE6327, BC858BE6433, BC858BL3E6327, BC858BLT1G, BC858BLT3G, BC858BMTF, BC858BT116, BC858BW-7-F, BC858BWE6327, BC858BWT1, BC858BWT106, BC858BWT1G, BC858C, BC858C-7-F, BC858CE6327, BC858CE6433, BC858CLT1, BC858CLT1G, BC858CLT3G, BC858CMTF, BC858CW-7-F, BC858CWE6327, BC858W,115, BC858W,135

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр		BC858A-7-F	BC858AE6327	BC858ALT1	BC858ALT1G	BC858AMTF	BC858AW-7-F	BC858AWT1	BC858AWT1G	BC858B,215	BC858B,235	BC858B-7-F	BC858BE6327	BC858BE6433	BC858BL3E6327	BC858BLT1G	BC858BLT3G	BC858BMTF	BC858BT116	BC858BW-7-F	BC858BWE6327	BC858BWT1	BC858BWT106	BC858BWT1G	BC858C	BC858C-7-F	BC858CE6327	BC858CE6433	BC858CLT1	BC858CLT1G	BC858CLT3G	BC858CMTF	BC858CW-7-F	BC858CWE6327	BC858W,115	BC858W,135
Корпус мікросхеми	Корпус	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SC-70-3, SOT-323-3	SC-70-3, SOT-323-3	SC-70-3, SOT-323-3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23	SOT-23	SOT-23	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SC-70-3, SOT-323-3	SOT-323	SC-70-3, SOT-323-3	SC-70-3, SOT-323-3	SC-70-3, SOT-323-3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23	SOT-23	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SC-70-3, SOT-323-3	SOT-323	SC-70-3, SOT-323-3	SC-70-3, SOT-323-3
Виробник	Виробник	Diodes Inc	Infineon Technologies	ON Semiconductor	ON Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Diodes Inc	ON Semiconductor	ON Semiconductor	NXP Semiconductors	NXP Semiconductors	Diodes Inc	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies	ON Semiconductor	ON Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Rohm Semiconductor	Diodes Inc	Infineon Technologies	ON Semiconductor	Rohm Semiconductor	ON Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Diodes Inc	Infineon Technologies	Infineon Technologies	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Diodes Inc	Infineon Technologies	NXP Semiconductors	NXP Semiconductors
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора	I_C	<100 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера	U_CEO	<30 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора	P_C	<300 мВт	<330 мВт	<225 мВт	<225 мВт	<310 мВт	<200 мВт	<225 мВт	<225 мВт	<250 мВт	<250 мВт	<300 мВт	<330 мВт	<330 мВт	<330 мВт	<225 мВт	<225 мВт	<310 мВт	<200 мВт	<200 мВт	<250 мВт	<225 мВт	<200 мВт	<225 мВт	<310 мВт	<300 мВт	<330 мВт	<330 мВт	<225 мВт	<225 мВт	<225 мВт	<310 мВт	<200 мВт	<250 мВт	<200 мВт	<200 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора	hFE	>125Ic, Vce = 2mA, 5V	>140Ic, Vce = 10µA, 5V	>125Ic, Vce = 2mA, 5V	>125Ic, Vce = 2mA, 5V	>110Ic, Vce = 2mA, 5V	>125Ic, Vce = 2mA, 5V	>125Ic, Vce = 2mA, 5V	>125Ic, Vce = 2mA, 5V	>220Ic, Vce = 2mA, 5V	>220Ic, Vce = 2mA, 5V	>220Ic, Vce = 2mA, 5V	>250Ic, Vce = 10µA, 5V	>250Ic, Vce = 10µA, 5V	>250Ic, Vce = 10µA, 5V	>220Ic, Vce = 2mA, 5V	>220Ic, Vce = 2mA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>210Ic, Vce = 2mA, 5V	>220Ic, Vce = 2mA, 5V	>250Ic, Vce = 10µA, 5V	>220Ic, Vce = 2mA, 5V	>210Ic, Vce = 2mA, 5V	>220Ic, Vce = 2mA, 5V	>420Ic, Vce = 2mA, 5V	>420Ic, Vce = 2mA, 5V	>480Ic, Vce = 10µA, 5V	>480Ic, Vce = 10µA, 5V	>420Ic, Vce = 2mA, 5V	>420Ic, Vce = 2mA, 5V	>420Ic, Vce = 2mA, 5V	>420Ic, Vce = 2mA, 5V	>420Ic, Vce = 2mA, 5V	>480Ic, Vce = 10µA, 5V	>125Ic, Vce = 2mA, 5V	>125Ic, Vce = 2mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора	U_CE-sat	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора	f_h21	<200 МГц	<250 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<150 МГц	<200 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<200 МГц	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<150 МГц	<250 МГц	<200 МГц	<250 МГц	<100 МГц	<250 МГц	<100 МГц	<150 МГц	<200 МГц	<250 МГц	<250 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<150 МГц	<200 МГц	<250 МГц	<100 МГц	<100 МГц
Структура біполярного транзистора	Структура	PNP
Струм відсічення колектора	I_frc	<15 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	<15 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	<15 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)