BC850

BC850, BC850AMTF, BC850B,215, BC850B,235, BC850BB5003, BC850BE6327, BC850BFE6327, BC850BLT1, BC850BLT1G, BC850BMTF, BC850BW,115, BC850BW,135, BC850BWE6327, BC850C,215, BC850C,235, BC850CB5003, BC850CE6327, BC850CLT1, BC850CLT1G, BC850CMTF, BC850CW,115, BC850CW,135, BC850CWE6327

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBC850AMTFBC850B,215BC850B,235BC850BB5003BC850BE6327BC850BFE6327BC850BLT1BC850BLT1GBC850BMTFBC850BW,115BC850BW,135BC850BWE6327BC850C,215BC850C,235BC850CB5003BC850CE6327BC850CLT1BC850CLT1GBC850CMTFBC850CW,115BC850CW,135BC850CWE6327
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23SOT-23SOT-23SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3SOT-323SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23SOT-23SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3SOT-323
Виробник
Виробник
Fairchild SemiconductorNXP SemiconductorsNXP SemiconductorsInfineon TechnologiesInfineon TechnologiesInfineon TechnologiesON SemiconductorON SemiconductorFairchild SemiconductorNXP SemiconductorsNXP SemiconductorsInfineon TechnologiesNXP SemiconductorsNXP SemiconductorsInfineon TechnologiesInfineon TechnologiesON SemiconductorON SemiconductorFairchild SemiconductorNXP SemiconductorsNXP SemiconductorsInfineon Technologies
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<100 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<45 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<310 мВт<250 мВт<250 мВт<330 мВт<330 мВт<250 мВт<225 мВт<225 мВт<310 мВт<200 мВт<200 мВт<250 мВт<250 мВт<250 мВт<330 мВт<330 мВт<225 мВт<225 мВт<310 мВт<200 мВт<200 мВт<250 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>110Ic, Vce = 2mA, 5V>240Ic, Vce = 10µA, 5V>240Ic, Vce = 10µA, 5V>250Ic, Vce = 10µA, 5V>250Ic, Vce = 10µA, 5V>250Ic, Vce = 10µA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>250Ic, Vce = 10µA, 5V>450Ic, Vce = 10µA, 5V>450Ic, Vce = 10µA, 5V>480Ic, Vce = 10µA, 5V>480Ic, Vce = 10µA, 5V>420Ic, Vce = 2mA, 5V>420Ic, Vce = 2mA, 5V>420Ic, Vce = 2mA, 5V>420Ic, Vce = 2mA, 5V>420Ic, Vce = 2mA, 5V>480Ic, Vce = 10µA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<200 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<200 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<200 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<300 МГц<100 МГц<100 МГц<250 МГц<250 МГц<250 МГц<100 МГц<100 МГц<300 МГц<100 МГц<100 МГц<250 МГц<100 МГц<100 МГц<250 МГц<250 МГц<100 МГц<100 МГц<300 МГц<100 МГц<100 МГц<250 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN