BC848A-7-F

BC848, BC848A-7-F, BC848AE6327, BC848ALT1, BC848ALT1G, BC848AMTF, BC848A-TP, BC848AW-7-F, BC848B,215, BC848B,235, BC848B-7-F, BC848BE6327, BC848BE6433, BC848BL3E6327, BC848BLT1, BC848BLT1G, BC848BLT3G, BC848BMTF, BC848BT116, BC848B-TP, BC848BW-7-F, BC848BWE6327, BC848BWT1, BC848BWT106, BC848BWT1G, BC848C-7-F, BC848CB6327, BC848CE6327, BC848CE6433, BC848CLT1, BC848CLT1G, BC848CMTF, BC848CT116, BC848C-TP, BC848CW-7-F, BC848CWE6327, BC848CWT1G, BC848W,115, BC848W,135

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBC848A-7-FBC848AE6327BC848ALT1BC848ALT1GBC848AMTFBC848A-TPBC848AW-7-FBC848B,215BC848B,235BC848B-7-FBC848BE6327BC848BE6433BC848BL3E6327BC848BLT1BC848BLT1GBC848BLT3GBC848BMTFBC848BT116BC848B-TPBC848BW-7-FBC848BWE6327BC848BWT1BC848BWT106BC848BWT1GBC848C-7-FBC848CB6327BC848CE6327BC848CE6433BC848CLT1BC848CLT1GBC848CMTFBC848CT116BC848C-TPBC848CW-7-FBC848CWE6327BC848CWT1GBC848W,115BC848W,135
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23SC-70-3, SOT-323-3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23SOT-23SOT-23SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23SC-70-3, SOT-323-3SOT-323SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3SOT-23-3SOT-23SOT-23SOT-23SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23SC-70-3, SOT-323-3SOT-323SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3
Виробник
Виробник
Diodes IncInfineon TechnologiesON SemiconductorON SemiconductorFairchild SemiconductorMicro Commercial CoDiodes IncNXP SemiconductorsNXP SemiconductorsDiodes IncInfineon TechnologiesInfineon TechnologiesInfineon TechnologiesON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorFairchild SemiconductorRohm SemiconductorMicro Commercial CoDiodes IncInfineon TechnologiesON SemiconductorRohm SemiconductorON SemiconductorDiodes IncInfineon TechnologiesInfineon TechnologiesInfineon TechnologiesON SemiconductorON SemiconductorFairchild SemiconductorRohm SemiconductorMicro Commercial CoDiodes IncInfineon TechnologiesON SemiconductorNXP SemiconductorsNXP Semiconductors
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<100 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<30 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<300 мВт<330 мВт<225 мВт<225 мВт<310 мВт<225 мВт<200 мВт<250 мВт<250 мВт<300 мВт<330 мВт<330 мВт<330 мВт<225 мВт<225 мВт<225 мВт<310 мВт<350 мВт<225 мВт<200 мВт<250 мВт<225 мВт<200 мВт<225 мВт<300 мВт<330 мВт<330 мВт<330 мВт<225 мВт<225 мВт<310 мВт<350 мВт<225 мВт<200 мВт<250 мВт<225 мВт<200 мВт<200 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>220Ic, Vce = 2mA, 5V>140Ic, Vce = 10µA, 5V>110Ic, Vce = 2mA, 5V>110Ic, Vce = 2mA, 5V>110Ic, Vce = 2mA, 5V>110Ic, Vce = 2mA, 5V>110Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>330Ic, Vce = 2mA, 5V>250Ic, Vce = 10µA, 5V>250Ic, Vce = 10µA, 5V>250Ic, Vce = 10µA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>250Ic, Vce = 10µA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>420Ic, Vce = 2mA, 5V>480Ic, Vce = 10µA, 5V>480Ic, Vce = 10µA, 5V>480Ic, Vce = 10µA, 5V>420Ic, Vce = 2mA, 5V>420Ic, Vce = 2mA, 5V>420Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>420Ic, Vce = 2mA, 5V>420Ic, Vce = 2mA, 5V>480Ic, Vce = 10µA, 5V>420Ic, Vce = 2mA, 5V>110Ic, Vce = 2mA, 5V>110Ic, Vce = 2mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<200 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<500 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<90 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<200 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<500 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<200 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<500 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<90 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<90 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<300 МГц<250 МГц<100 МГц<100 МГц<300 МГц<100 МГц<300 МГц<100 МГц<100 МГц<300 МГц<250 МГц<250 МГц<250 МГц<100 МГц<100 МГц<100 МГц<300 МГц<200 МГц<100 МГц<300 МГц<250 МГц<100 МГц<200 МГц<100 МГц<300 МГц<250 МГц<250 МГц<250 МГц<100 МГц<100 МГц<300 МГц<200 МГц<100 МГц<300 МГц<250 МГц<100 МГц<100 МГц<100 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN
Струм відсічення колектора
Ifrc
<15 нА(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)<100 нА(не задано)(не задано)(не задано)<15 нА(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)<100 нА(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)<15 нА(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)<100 нА(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)